Placa de nitreto de silício e seu método de fabricação

Nome da patente:Substrato de nitreto de silícioe seu método de fabricação e o método de produção de placa de circuito de nitreto de silício e módulo semicondutor usando a placa de nitreto de silício
Campo técnico:
A presente invenção envolveSubstrato de nitreto de silícioe seus métodos de fabricação. Além disso, a invenção envolve o uso de substratos de circuito de nitreto de silício e módulos semicondutores usando o acimaSubstrato de nitreto de silício.
Técnica de fundo:
Nos últimos anos, nos campos e outros campos de veículos elétricos, o módulo semicondutor de potência (Módulo Semicondutor de Potência) (IGBT, MOSFET de potência, etc.) que pode trabalhar com alta tensão e grande corrente. Para o substrato usado no módulo semicondutor de potência, uma superfície de um substrato cerâmico isolante pode ser usada para combinar com uma placa de circuito de metal, e o substrato do circuito cerâmico com uma placa radiadora de metal em outra superfície pode ser usado. Além disso, elementos semicondutores na placa de circuito metálico e assim por diante. A combinação dos substratos cerâmicos isolantes mencionados acima com placas de circuito de metal e dissipadores de calor de metal, como o chamado cobre à base de cobre à base de cobre à base de cobre à base de cobre à base de cobre à base de cobre é diretamente conectada para jurídico. Para tal módulo semicondutor de potência, a dissipação de calor é maior fluindo através de grandes correntes. Contudo, porque o substrato cerâmico isolante acima mencionado é baixo em termos de condutividade térmica, pode tornar-se um factor que dificulta a dissipação de calor dos componentes semicondutores. Além disso, a geração de tensão térmica é causada pela taxa de expansão térmica entre o substrato cerâmico isolante e a placa de circuito metálica e a placa metálica do dissipador de calor. Como resultado, o substrato cerâmico isolante está rachado e destruído, ou a placa de circuito de metal ou a dissipação de calor do metal A placa é removida do substrato cerâmico isolante.