Substrato cerâmico de nitreto de silício para eletrônicos

Substrato cerâmico de nitreto de silício para eletrônicos

O substrato cerâmico de nitreto de silício para eletrônicos é um tipo especializado de material cerâmico usado em diversas aplicações industriais onde são necessárias alta resistência, durabilidade e estabilidade térmica. É feito de uma combinação de silício, nitrogênio e outros elementos que lhe conferem propriedades mecânicas, térmicas e químicas únicas.

O substrato cerâmico Si3N4 possui excepcional resistência mecânica, tornando-o altamente resistente ao desgaste e danos por impacto e compressão. Também é altamente resistente a choques térmicos, capaz de suportar mudanças rápidas de temperatura sem rachar ou quebrar. Isto o torna ideal para uso em indústrias de alta temperatura, como aeroespacial, engenharia automotiva e outras áreas onde a dissipação de calor é necessária.

Além de suas propriedades mecânicas e térmicas, o substrato cerâmico Si3N4 também oferece excelente isolamento elétrico e boa resistência à corrosão em ambientes agressivos. É usado em aplicações eletrônicas e semicondutores, como módulos de potência e eletrônicos de alta temperatura, devido às suas propriedades superiores de dissipação de calor e isolamento.

No geral, o substrato cerâmico de nitreto de silício Si3N4 é um material excepcional com uma ampla gama de aplicações. Sua excepcional resistência mecânica, estabilidade térmica, isolamento elétrico e resistência química o tornam ideal para diversas aplicações industriais e eletrônicas onde confiabilidade e eficiência são fatores críticos.

O substrato cerâmico de nitreto de silício Torbo® para eletrônicos

Artigo: Substrato de nitreto de silício

Material: Si3N4

Cor: Cinza

Espessura: 0,25-1mm

Processamento de superfície: Duplo polido

Densidade aparente: 3,24g/㎤

Rugosidade da superfície Ra: 0,4μm

Resistência à flexão: (método de 3 pontos):600-1000Mpa

Módulo de elasticidade: 310Gpa

Resistência à fratura (método IF):6,5 MPa･√m

Condutividade térmica: 25°C 15-85 W/(m･K)

Fator de perda dielétrica: 0,4

Resistividade de volume: 25°C >1014 Ω･㎝

Força de ruptura: DC >15㎸/㎜