Substrato cerâmico de nitreto de silício Si3n4

Substrato cerâmico de nitreto de silício Si3n4

O substrato cerâmico de nitreto de silício Si3n4 é um tipo de material avançado usado em muitas aplicações diferentes, desde eletrônica até indústrias aeroespaciais. Possui uma combinação única de propriedades que a tornam uma das cerâmicas mais versáteis e duráveis ​​disponíveis. O nitreto de silício é um material incrivelmente duro e forte, tornando-o altamente resistente ao desgaste. Possui excelente estabilidade térmica, o que significa que pode suportar altas temperaturas sem degradar ou perder suas propriedades. Além disso, é altamente isolante elétrico, proporcionando excelente isolamento e proteção aos componentes elétricos.

O substrato cerâmico de nitreto de silício é utilizado em diversos componentes eletrônicos, como semicondutores de potência e diodos emissores de luz (LEDs), devido à sua excelente condutividade térmica e propriedades de dissipação de calor. Também é utilizado em aplicações mecânicas, como rolamentos de alta velocidade e ferramentas de corte, devido à sua excepcional resistência e tenacidade. A indústria aeroespacial utiliza substrato cerâmico de nitreto de silício em aplicações de alta temperatura, como peças de turbinas, devido à sua excelente resistência ao choque térmico e à oxidação.

No geral, o substrato cerâmico de nitreto de silício é um material excepcional com uma ampla gama de aplicações. Sua durabilidade, estabilidade térmica, isolamento elétrico e resistência mecânica o tornam uma escolha popular em diversos setores.

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O substrato cerâmico Torbo®Silicon Nitreto Si3n4

Item: Substrato cerâmico de nitreto de silício Si3n4

Material: Si3N4

Cor: Cinza

Espessura: 0,25-1 mm

Processamento de superfície: Duplo polido

Densidade aparente: 3,24g/㎤

Rugosidade da superfície Ra: 0,4μm

Resistência à flexão: (método de 3 pontos):600-1000Mpa

Módulo de elasticidade: 310Gpa

Resistência à fratura (método IF):6,5 MPa･√m

Condutividade térmica: 25°C 15-85 W/(m･K)

Fator de perda dielétrica: 0,4

Resistividade de volume: 25°C >1014 Ω･㎝

Força de ruptura: DC >15㎸/㎜